第83章 現在就拆給你看！(第1/2 頁)

光刻作為晶片製造流程中最關鍵的環節，其基本原理其實很簡單，就是用光，來完成對矽片的雕刻。

光刻中的矽片，就像是掛在牆上的投影布，而光刻機則是投影儀，

如果投影布表面不平整，出現起伏，那投影的畫面自然就會扭曲變形。

在光刻中，矽片的表面瑕疵，則會導致投影上去的電路設計路變形，從而導致良率降低，甚至整張晶圓報廢。

所以想要得到一張能用來製造晶片的矽片，則需要把切割後的單晶矽片進行拋光打磨，直至它的表面平整度低於15n rs。

這相當於在電影院掛上一塊大幕布，它的表面起伏不能超過一根頭髮絲大小，無限接近於完美的鏡面。

因此，這對矽片製造拋光工藝要求，自然就顯得極其重要了。

從圓珠筆頭上的小鋼珠，到晶片的原材料矽片，再到光刻機上的鏡片，最後甚至是科幻三體中表面完美無暇的水滴……

其實考驗一個文明工業水平高度的，就是看你能把一個物品造得有多精細。

而造精細的東西，自然就需要空氣乾淨的潔淨室，不然空氣中全是灰塵細菌，再怎麼打磨造不出合格的矽片。

“其實這些年我們透過仿製島國的裝置，已經可以達到26n rs的平整度了，但無論我們再怎麼檢查，哪怕每一個零件都已經達標了，但依然沒辦法繼續突破……”

嚴輝穿一邊穿著防護服，一邊向康馳介紹著他們的研究進度。

“拋到26n rs用的是什麼拋光液？”

“以sio2為基礎，加入0-70wt的雙氧水，最後用koh調節ph到85。”

康馳點了點頭：“先看看再說吧。”

兩人穿好防護服後，很快就來到了拋光實驗室，然後由嚴輝主持，向康馳演示了一次拋光實驗。

在傳統的矽片拋光打磨中，通常會先用機械拋光機，對矽片進行初步打磨，再清洗，最後進行化學機械拋光，也稱為精磨。

精磨是一種利用拋光液的化學腐蝕功能，配合機械轉盤的機械打磨，兩者互相配合來達到矽片的工藝標準。

實驗的結果是31n rs，比他們能做的極限還差不少。

康馳沉思了片刻，然後說道：“換成30wtal2o3基液，加65wt高錳酸鉀作為化學拋光液，用5wthno3調成80的ph值再試一遍。”

嚴輝點了點頭，帶著研究員們調配好拋光液，然後重新進行了一次實驗。

“平整度59n rs。”

看到這個結果，原本還有點小期待的嚴輝，不由露出一抹失望的神色。

但康馳卻依然不為所動，又報出了一組拋光液配比，讓他們重新進行第三次實驗。

“平整度59n rs。”

59？

還是59？！

是巧合嗎？

雖然59顯然是遠遠不達標的，但嚴輝卻似乎意識到了什麼，有些驚訝地轉頭看向康馳。

“你……計算好的？”

“算是吧。”

康馳點了點頭。

這下嚴輝徹底呆住了，

要知道，化學機械拋光的技術難點，除了拋光裝置的硬體要達標之外，還要根據裝置效能、矽片引數，來調配化學拋光液，以達到化學拋光和機械拋光的完美配合。

要想除錯得好，首先就需要對裝置瞭如指掌，其次這是豐富的拋光液調配經驗。

但康馳僅僅只是透過一次實驗演示，就能看似輕鬆地報出兩組不同成分的拋光液，並在後續的實驗中，達到同一數值的平整度……

這多少有點匪夷所思了吧？