第310章 從北京西城走出來的工程院院士、著名半導體專家屠海令(第3/4 頁)
等職務,他負責科研機構的整體管理和發展,這讓他在科研管理、資源調配、戰略規劃等方面積累了豐富經驗,能夠從宏觀層面推動科研工作的開展。
屠海令在美國北卡羅萊納州立大學擔任高階訪問學者,使他能夠深入瞭解國際半導體材料研究的最新動態和前沿技術,拓寬國際視野,為將國際先進理念引入國內研究提供了契機。
屠海令擔任中韓新材料合作中心主任,他推動了中韓在新材料領域的合作與交流,提升了他在國際合作方面的能力和影響力,也為國內科研發展引入了外部資源和合作機會。
屠海令擔任有研半導體材料股份有限公司董事長,他積極推動科研成果的產業化應用,將科研與市場需求緊密結合,不僅為企業創造了經濟效益,也提升了我國半導體材料的產業競爭力,體現了他將科研成果轉化為實際生產力的能力。
屠海令擔任北京有色金屬研究總院科技委員會主任,他能夠從更高層面把控科研方向,指導和推動全院的科研工作,為培養科研人才和打造創新團隊發揮了重要作用。
屠海令院士在不同階段的從業經歷,使他在科研能力、團隊管理、國際合作、成果轉化等方面不斷提升和完善,這些都為他當選中國工程院院士奠定了堅實基礎。
院士科研之路
屠海令院士是我國著名的電子材料專家,長期從事矽、化合物半導體,稀土半導體,矽基半導體等材料的研究工作。
屠海令院士主持研發的“2-3μ ic用φ5英寸矽單晶(片)”獲得國家科學技術進步獎二等獎。
他主持研發成功的“6英寸重摻砷矽單晶及拋光片”獲得北京市科學技術獎一等獎。
他主持研發成功的“重摻砷矽單晶及拋光片”獲得國家科學技術進步獎二等獎。
這些成果提升了我國矽單晶材料的質量和效能,滿足了積體電路等領域的需求。
屠海令院士在砷化鎵等化合物半導體研究方面也有突出貢獻。
他主持的“半絕緣砷化鎵單晶”獲得中國有色金屬工業科學技術獎一等獎。
該技術推動了我國化合物半導體材料的發展,為相關光電器件和高頻器件的研製提供了基礎。
屠海令院士積極推動寬禁帶半導體材料如碳化矽(sic)和氮化鎵(gan)的研發與應用,強調要做好頂層設計,加強全產業鏈和產業環境建設。
屠海令院士推動多方協同發展,以搶佔下一代功率電子產業市場,促進新一代資訊科技等領域的快速發展。
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根據2022年8月中國工程院網站顯示,屠海令先後發表論文280多篇,出版著作9部。
如《新材料產業培育與發展研究報告》《新材料產業發展重大行動計劃研究》等,為相關領域的研究和發展提供了理論支援和指導。
最後,屠海令院士領導並參加多項半導體材料國家工程及專項專案,形成了一系列具有自主智慧財產權的工程技術和規模化生產能力,推動了我國半導體材料產業的發展。
科研之路解碼
屠海令院士的研究成果,在他當選院士過程中發揮了關鍵作用。
在半導體材料領域,他在矽單晶及拋光片、化合物半導體、寬禁帶半導體材料等方面成果豐碩。
這些成果提升了我國半導體材料的質量和效能,滿足了積體電路等領域需求,推動了相關產業發展,展示出卓越科研能力。
在學術著作與論文方面,他發表論文280多篇,出版著作9部,為行業提供了理論支援和指導,彰顯了其學術影響力。
在科研專案與產業化方面,他領導並參加多項國家工程及專項專案,形成自主智慧財產權和規模化生
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