第16章 晶片測試成功！（求追讀）(第1/2 頁)

大華國，京科大科研中心，地下基地。

超態研究安全實驗室。

袁淑芬、趙建華、齊賢華、劉正農，袁建英等一行院士，率領一批研究人員，正忙得如火如荼。

“這次，咱們這些老東西拼了老命緊急製造出了這二十三組測試晶片，並馬不停蹄的乘坐專用直升機過來。”

“而且這還是在資料不全、常溫超導材料本身也並不完美的情況下。”

“但是這其中的意義極為重大！”

“諸位，如果成了，那將是天佑我大華！”

“無論如何，無論如何，這一次王恆立下了潑天的功勞，一定不能讓這樣的天才寒心，更不能讓他受辱！”

“他之前說的那句話——祗辱於奴隸人之手，駢死於槽櫪之間，真的是讓老婆子我抬了一輩子的頭低了下來！”

袁淑芬的聲音很大，很響亮。

現場卻靜寂無聲。

“現在，話不多說，我們要進行這第一批的超導量子晶片的測試了！”

“第一組！”

“在！”

“彙報測試詳細情況！”

隨著袁淑芬的話語，頓時，趙建華一行所有人，全部凝神屏息，大氣都不敢喘一口。

那繃緊的神經，那無盡的期待，那心中的熱血，全部的匯聚在了一起。

“先測試基本內容：

1.輸出電流不斷上升，輸入電壓不斷下降的狀態下輸出效率變化分佈。

2.輸入為恆壓的狀態下，不斷的提高輸出電流，輸出效率的變化。

3.輸出電流不斷上升時，晶片發熱溫度變化。

再測試基本資料：

1.輸出電流不斷上升，輸入電壓不斷下降的狀態下輸出效率變化分佈。

2.恆壓下的效率變化：輸入恆壓時，隨電流的上升，轉換效率的變化情況。

3.常溫下，輸出電流不斷上升時，晶片發熱溫度變化。

……”

“測試結果：”

“執行溫度：目前我們軍用級為-55到+125攝氏度，此次超導晶片為-175到+380攝氏度。”

“執行速率：5nm實驗晶片INT4達INT8精度，每瓦運算速度可達H100十倍，而我們的，可以在這個基礎上額外提升997倍。這還是目前我們的晶片各方面都非常粗糙……是，這次的生產相對很粗糙……”

“功率損耗方面：約為5nm矽基電子晶片的七百分之一左右，但我們有理由相信，一旦給我們更多時間，那位王恆提供更精確的資訊講解的話，這個資料有可能達到三千分之一！”

“使用壽命方面：按照我們的設定的極其惡劣的溫度條件，至少是十五年起步——當然，最佳化之後，更加超乎想象，估計能翻倍到三十年！這是極端環境測試，正常環境，壽命那就特別誇張……”

隨著第一組的資料全方位彙報，以及大型投影屏上的無比詳細而誇張的資料呈現。

“成功了！”

“成功了！”

袁淑芬、趙建華、齊賢華等一群人紛紛激動得無以復加，一些老人更是老淚縱橫，不停的抹著眼淚。

“快，第二組開始彙報！”

“基本內容幾乎一樣，測試結果略有偏差，具體在效能和損耗方面，我們的資料更好。”

“以下是詳細資料……”

“第三組……”

……

到第二十三組的資料彙報完畢之後。

現場在短暫的靜謐後，徹底的轟動了。

而這時候，巨大的熒幕上，也開始呈現出一頁頁的資料綜合對比，並將一些重