第二百九十九章 摩爾定律你聽說過沒有(第1/2 頁)

滄海揚帆第一卷風起雲湧第二百九十九章摩爾定律你聽說過沒有08實驗室正在研製的光刻膠，也是國家半導體後備技術的一部分。

在這個時期，光刻膠並不屬於國外向中國禁售的產品。國際上生產光刻膠的廠商眾多，國內的半導體企業能夠輕而易舉地買到各種光刻膠，而且價格也並不昂貴。

然而，國家卻依然向楓林研究所下達了研製光刻膠的任務，其目的就是為了萬一遭遇到國外的封鎖，國內自己也能夠提供出合用的光刻膠，確保少數關係國家安全的積體電路的生產不受影響。

所有的人都知道，國內自己研製的光刻膠生產成本會遠遠高於進口產品，質量則是遠遠不及，在市場上是絕對沒有競爭力的。

但是，當事關國家生死存亡的時候，這些問題還有必要考慮嗎？

楓林研究所研究的許多技術，都具有這樣的特徵。相比西方國家而言，這些技術平均要落後一至兩代，即使送給別人，人家也不屑一顧。

可這並不意味著楓林研究所的保密制度就是多餘的。保密的目的在於讓對手不清楚我們的研究進度到了哪一步，無論對方高估或者低估了我們的水平，都會在戰場博弈或者經濟博弈中犯下一些或大或小的錯誤，而這些錯誤，可能就會成為我們的機會。

這是弱者的一種生存策略。

高凡對於國家的整體策略並不十分了解，但在他從雲中明那裡聽到“光致抗蝕劑”這個詞的時候，他就產生出了一個念頭：

或許，自己能夠做一些事情。

“徐師兄，我聽畢主任說，你們正在研究的是g線光刻膠。對於i線以及krf光刻膠，你們有沒有涉及？”高凡問道。

他說的畢主任，叫畢連生，是08實驗室的室主任，一位不苟言笑的中年知識分子。

光刻技術，按照使用的光源不同，可以分為許多類，或者稱為不同代際也可以。

上世紀60年代，光刻技術剛剛出現的時候，使用的是普通的可見光光源，那時候的光刻機其實就是拿一個大燈泡照射掩膜板，和照相館裡沖洗照片沒啥區別。

80年代，光源進化為採用高壓放電汞燈產生的436奈米和365奈米光源，前者稱為g線光源，後者稱為i線光源，都屬於近紫外光源。

90年代之後，出現了使用準分子鐳射器的248奈米、193奈米和157奈米光源，分別稱為krf、arf和f2光源，屬於深紫外光源。

再至於被譽為“皇冠上的明珠”的euv光刻機，使用的是13.3奈米的極紫外光源，它的出現時間已經要算到2010年之後了。

時下，g線光源還是積體電路製造中使用的主流光源。i線光源光刻機已經問世，但還沒有得到大規模推廣。至於krf，實驗室概念已經提出來了，真正投入使用，還得是十年後的事情。

光刻的原理，與沖洗照片是一樣的。首先，要把電路圖製作成底片，稱為掩膜。光源透過掩膜照射在塗了光刻膠的晶片基材上。

光刻膠由樹脂、感光劑、溶劑和新增劑組成，其中的感光劑在光線照射下會發生反應，使曝光區的光刻膠溶解，這就相當於把掩膜上的電路圖案複製到了晶片基材上。

隨後，再進行蝕刻、離子注入、封裝等操作，一枚晶片就製作完成了。

光刻膠中感光劑的選擇，與光源是密切相關的，這涉及到化合物在不同波長光線作用下的變化，機理十分複雜。

徐雲是知道這些概念的。他原本就是物理系的學生，楓林研究所聘請他的老師前來參與這個專案，就是因為其中涉及到一些光學方面的問題。他在專案組裡耳濡目染了這麼久，對於這些問題自然是非常瞭解的。

聽到高